สำหรับกระบวนการผลิตแบบ 22 นาโนเมตรนี้จุดเด่นอยู่ที่ทรานซิสเตอร์ที่อยู่ภายในซิลิคอน เรียกว่า 3D Transistor ซึ่งการผลิดซีพียูรุ่นใหม่ๆ จะใช้ 3D แบบ Tri-gate
จากรูปด้านซ้ายบน จะเป็นการจำลองทรานซิสเตอร์แบบเดิมซึ่งลักษณะจะเป็นแบบ กว้าง x ยาว หรือ 2D ส่วนด้านขวาจะเป็นแบบ 3D หรือ กว้าง x ยาว x สูง ความแตกต่างดังกล่าวทำให้มีพื้นที่ให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านมากขึ้น ทำให้ลดการเสียดทาน ผลที่ตามมาทำให้ลดพลังงาน และทำให้ความร้อนเกิดขึ้นน้อยลงไปด้วย.
และเมื่อเกิดความร้อนน้อยลง ผลตามมาที่ได้รับคือ สามารถเร่งความเร็วในการสวิตซ์(On/Off-1/0) ของตัวทรานซิตเตอร์ได้มากขึ้น หรือเพิ่มความถื่ในการทำงานให้กับตัวชิปได้มากขึ้นนั่นเอง
แต่สิ่งที่น่าสนใจมากกว่า 3D ทรานซิสเตอร์ก็คือ การเพิ่มจำนวน Gate ในทรานซิสเตอร์แต่ละตัวให้มีถึง 3 Gate จะทำให้ลดความร้อนและลดการใช้พลังงานได้มากยิ่งขึ้นไปอีก ซึ่งเป็นผลมาจากความสามารถของกระบวนการผลิดที่เล็กลงในระดับ 22 นาโนเมตร จึงเป็นที่มาของคำว่า Tri-gate Transistor
ที่มา นิตยสาร QuickPC และ Intel coporation
